MRAM可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。具有SRAM高速讀取寫(xiě)入能力和DRAM高集成度，基本可以無(wú)限次重復(fù)寫(xiě)入。
 
如果把MRAM，DRAM，SRAM及FLASH等內(nèi)存做比較，就只有MRAM及FLASH具有非揮發(fā)性的特色功能；但在隨機(jī)存取功能上，則FLASH缺乏這種作用，只有MRAM，DRAM，SRAM具有隨機(jī)存取的優(yōu)點(diǎn)。
 
MRAM，DRAM及SRAM在寫(xiě)入次數(shù)上，都可以寫(xiě)入無(wú)限記憶，F(xiàn)LASH則只能寫(xiě)入106次。關(guān)于芯片面積，MRAM與FLASH同樣是小規(guī)格的芯片，占用的空間最小；DRAM芯片面積屬于中等規(guī)格，SRAM屬于大面積規(guī)格的芯片，占用空間較大。
 
MRAM及SRAM在讀取速度上速度最快，均為25~100ns，但MRAM仍比SRAM快;DRAM則為50～100ns，屬于中速；FLASH是最慢的速度。
 
在耗電電量方面，只有MRAM及其SRAM具有低耗電的優(yōu)點(diǎn)，F(xiàn)LASH屬于中級(jí)耗電要求，對(duì)于中級(jí)耗電要求，DRAM也有高功耗的缺陷。
 
DRAM，SRAM，F(xiàn)LASH在嵌入式設(shè)計(jì)是良率低，必須提高芯片面積設(shè)計(jì)規(guī)格；MRAM不需要改進(jìn)芯片面積的特殊設(shè)計(jì)。


本文關(guān)鍵詞： MRAM,SRAM

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