英尚推出偉凌創(chuàng)芯低功耗同步SRAM內(nèi)存方案
2026-04-16 10:49:09
同步SRAM的所有訪問操作都嚴格跟隨時鐘信號的上升沿或下降沿啟動,地址、數(shù)據(jù)輸入以及控制信號都與時鐘保持同步。相比異步SRAM,同步SRAM由于在時鐘信號驅(qū)動下工作,后續(xù)數(shù)據(jù)讀寫均在時鐘沿完成,因此具備更快的訪問速度和更高的帶寬。為了進一步提升效率,業(yè)界還發(fā)展出了多種流水線結(jié)構(gòu)的同步SRAM,廣泛應(yīng)用于對性能要求苛刻的場景。
英尚代理的偉凌創(chuàng)芯低功耗同步SRAM型號EMI504HL08WM-55I采用了成熟的CMOS工藝,存儲容量為4Mbit,組織方式為512K×8bit。同步SRAM的工作電壓范圍4.5V~5.5V,訪問速率達到55ns,可在-40℃至85℃的寬溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。同時同步SRAM采用32引腳TSOP1的封裝形式,適合對帶寬有極端要求的設(shè)備,如網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機、高端顯卡以及通信基站等。
偉凌創(chuàng)芯低功耗同步SRAM類型
①ZBT SRAM(零總線周轉(zhuǎn)SRAM)消除了傳統(tǒng)SRAM在讀寫切換時的等待周期,效率極高,常用于網(wǎng)絡(luò)處理器;
②QDR SRAM(四倍數(shù)據(jù)速率SRAM)擁有獨立的讀寫端口,能夠同時執(zhí)行讀寫操作,帶寬表現(xiàn)十分突出;
③DDR SRAM(雙倍數(shù)據(jù)速率SRAM)則在時鐘上下沿均傳輸數(shù)據(jù)。用戶可根據(jù)自身項目需求,選擇最匹配的同步SRAM方案。
如需進一步了解低功耗同步SRAM產(chǎn)品數(shù)據(jù)或樣品申請,請聯(lián)系英尚微電子獲取專業(yè)服務(wù)。
本文關(guān)鍵詞:SRAM
上一篇文章:分享一款RISC-V低功耗BLE 5.3藍牙MCU/SoC
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC