存儲(chǔ)器粗略的可以分為

1. 非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，如NAND、NOR Flash，數(shù)據(jù)在掉電后不會(huì)丟失。這類存儲(chǔ)器通常速度比較慢，可以做資料和大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

2. 揮發(fā)性存儲(chǔ)器，如DRAM、SRAM。它們通常速度較快，但數(shù)據(jù)在掉電后會(huì)丟失，通常被用作程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)緩存(buffer)。

3. 新一代的存儲(chǔ)器：如ReRAM, MRAM, FRAM等，他們的特點(diǎn)是結(jié)合了上述兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)：運(yùn)行速度快，掉電不丟失。目前，他們的一些局限在于容量還不能做得很大，所以還無(wú)法實(shí)現(xiàn)DRAM或NAND能實(shí)現(xiàn)的容量密度；或者再單位bit的成本，還無(wú)法與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)。

4. PSRAM：pseudo SRAM，偽SRAM。它具有類SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀、寫命令，就可以實(shí)現(xiàn)存取，不像DRAM需要memory controller來(lái)控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新，因此結(jié)口簡(jiǎn)單；但它的內(nèi)核是DRAM架構(gòu)：1T1C一個(gè)晶體管一個(gè)電容構(gòu)成存儲(chǔ)cell，而傳統(tǒng)SRAM需要6T即六個(gè)晶體管構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)cell。由此結(jié)合，他可以實(shí)現(xiàn)類SRAM的接口有可實(shí)現(xiàn)較大的存儲(chǔ)容量。

新的串行pSRAM能有效改善傳統(tǒng)隨機(jī)存取記憶體的問(wèn)題，并具有以下優(yōu)點(diǎn)：

1. 更大的帶寬：串行PSRAM以八路串行接口之規(guī)格，在200MHz Double-data-rate的速率，其數(shù)據(jù)帶寬大于3Gbps。

2. 更高的容量：串行PSRAM容量為64M，比其他現(xiàn)行市面上的串行接口隨機(jī)存取記憶體的記憶容量大很多。

3. 更低的成本：串行PSRAM採(cǎi)用先進(jìn)的DRAM技術(shù)，有效地壓縮芯片體積，故串行PSRAM生產(chǎn)成本接近DRAM成本。

4. 更小的尺寸：串行PSRAM的低引腳數(shù)封裝與傳統(tǒng)隨機(jī)存取記憶體(RAM)相較之下，更具尺寸小、成本低等優(yōu)勢(shì)。

5. 應(yīng)用介面簡(jiǎn)單：因?yàn)樾滦偷脑O(shè)計(jì)技術(shù)，串行PSRAM不需要更新週期(Refresh Cycle)，與DRAM需要更新不同，故串行PSRAM介面較傳統(tǒng)隨機(jī)存取記憶體(RAM)更為簡(jiǎn)單。

串行PSRAM型號(hào)參考：

Density	Part Number	Vcc(V)	Speed(MHz)	Bus Modes	Temp.	Package
64Mbit	RS6404LSQL	1.8	20	SPI,QPI	-25℃ to 85℃	8-SOIC
64Mbit	IPS6404LSQ	3	20	SPI,QPI	-25℃ to 85℃	8-SOIC
64Mbit	RS6404LSQ	3	20	SPI,QPI	-25℃ to 85℃	8-SOIC
64Mbit	IPS6404LSQL	1.8	20	SPI,QPI	-25℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	RS3204JSQI T	1.8	20	SPI,QPI	-40℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	IPS3204JSQ	1.8	20	SPI,QPI	0℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	RS3204JSQT	1.8	20	SPI,QPI	-25℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	RS3204JSQCT	1.8	20	SPI,QPI	0℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	RS3204JSQI	1.8	20	SPI,QPI	-40℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	RS3204JSQ	1.8	20	SPI,QPI	-25℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	RS3204JSQC	1.8	20	SPI,QPI	0℃ to 85℃	8-SOIC

關(guān)鍵字：串行PSRAM
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