Everspin Technologies是全球領(lǐng)先的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)非易失性解決方案生產(chǎn)商，為全球存儲(chǔ)器應(yīng)用提供非易失性解決方案，在2021年12月8日，該公司贏得了2021年SEMI美洲獎(jiǎng)。
 
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢(qián)德勒，因與GlobalFoundries合作開(kāi)發(fā)首個(gè)商業(yè)化自旋轉(zhuǎn)移矩(STT)存儲(chǔ)器而獲獎(jiǎng)。采用28nm工藝的新型Everspin1-gigabayte(GB)STT-MRAM設(shè)備是同類(lèi)產(chǎn)品中的世界首創(chuàng)。MRAM提供類(lèi)似于SRAM的性能特征，同時(shí)在系統(tǒng)斷電期間保持其電荷和數(shù)據(jù)。
 
STT-MRAM存儲(chǔ)元件的實(shí)施使應(yīng)用材料、佳能-Anelva、LAMResearch和東京電子開(kāi)發(fā)的一類(lèi)新工藝工具的部署成為可能。
 
STT-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲(chǔ)技術(shù)。其高性能內(nèi)存可與DRAM和SRAM相媲美，同時(shí)可縮小到10納米(nm)以下，而且閃存成本低。
 
STT-MRAM是業(yè)界最強(qiáng)大、最通用的非易失性存儲(chǔ)器，它有望讓日常電子產(chǎn)品更快地訪問(wèn)數(shù)據(jù)，同時(shí)消耗更少的功率。
 
Everspin的開(kāi)創(chuàng)性開(kāi)發(fā)和STT-MRAM的推出為先進(jìn)的存儲(chǔ)技術(shù)鋪平了道路，使芯片規(guī)模得以延續(xù)。
 
Everspin是設(shè)計(jì)制造分立式Toggle MRAM和SST-MRAM并將其商業(yè)運(yùn)送到數(shù)據(jù)持久性和完整性、低延遲和安全性至關(guān)重要的市場(chǎng)和應(yīng)用中。該公司擁有超過(guò)1.3億個(gè)MRAM和SST-MRAM產(chǎn)品，部署在數(shù)據(jù)中心、云存儲(chǔ)、能源、工業(yè)和運(yùn)輸市場(chǎng)，包括汽車(chē)。

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