近期，在28nm晶片制程節(jié)點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體比賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)名列前茅。

 

　　比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門負(fù)責(zé)人指出，盡管相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器和電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)都有一部分支持者，但這些記憶體都存在著微縮的難題，因此還不能達(dá)到28nm CMOS制程的要求。

 

　　28nm平面CMOS節(jié)點(diǎn)也許能增加更長(zhǎng)壽命，用以適應(yīng)“超越摩爾定律”(More-than-Moore)的發(fā)展，但要想要達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，有必要選擇使用非揮發(fā)性記憶體，因?yàn)榭扉W記憶體還是不能有效地微縮。

 

　　目前有大量的材料系統(tǒng)正競(jìng)相成為ReRAM的基礎(chǔ)，但其中大部份都是以導(dǎo)體交叉點(diǎn)的導(dǎo)電絲形成與斷裂為基礎(chǔ)。其中，至少在實(shí)現(xiàn)大型陣列以因應(yīng)獨(dú)立式記憶體導(dǎo)線絲ReRAM無法微縮時(shí)可能就會(huì)出現(xiàn)問題。IMEC記憶體部門負(fù)責(zé)人表示：“由于經(jīng)常使用單導(dǎo)線絲，而它需要大約100mA才足以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定度。因此，當(dāng)你微縮交叉點(diǎn)時(shí)，功耗還是沒有降低。

 

　　盡管在材料系統(tǒng)之間的確切電流都各不相同，但是，隨著陣列尺寸增加，功耗也會(huì)隨著陣列中的位元單位數(shù)增加而提高。

 

　　IMEC深入研究了氧化鉿和氧化鉭ReRAM。負(fù)責(zé)人指出，ReRAM可望在20nm實(shí)現(xiàn)，但因?yàn)闊o法微縮而需要進(jìn)行昂貴的工程，因此可能只適用于單一節(jié)點(diǎn)。“或許可用于嵌入式系統(tǒng)，但并不適用于獨(dú)立式記憶體，”負(fù)責(zé)人如是說。

 

　　PCM則可作為仍圍繞原始導(dǎo)電絲周圍形成的記憶體替代方案，但這涉及了材料體積的熱導(dǎo)相變。材料體積的大小與電流似乎可微縮使其成為更有發(fā)展前景的選項(xiàng);Furnemont甚至認(rèn)為它有機(jī)會(huì)微縮至10nm。
 

                

                                                                                                                                          （ everspin mram 產(chǎn)品介紹）

 

　　負(fù)責(zé)人更看好MRAM在28nm上的應(yīng)用，一部份原因其經(jīng)濟(jì)效益會(huì)更大;因?yàn)樗梢灾欢嘤?個(gè)光罩來實(shí)現(xiàn)。此外，它還相容于CMOS電壓機(jī)制，而且不需要任何的電荷泵。

 

　　雖然MRAM基本上可在線路的后端加以打造，但必須透過電晶體驅(qū)動(dòng)，使其能以“自由區(qū)域”(area-free)加以建置。

 

        Everspin目前正出貨平面STT-MRAM。而接下來將會(huì)朝向垂直記憶體的發(fā)展趨勢(shì)，Globalfoundries目前正為Everspin進(jìn)行代工。
 

本文關(guān)鍵詞：MRAM   STT-MRAM  28nm MRAM       相關(guān)文章：商業(yè)、技術(shù)雙重挑戰(zhàn)下DRAM未來將駛向何方？

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